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兴之扬蚀刻不锈钢网片小编来向大家说说电浆干法蚀刻制程参数：

电浆蚀刻制程参数一般包括了射频(rf)功率、压力、气体种类及流量、蚀刻温度及腔体的设计等因素，而这些因素的综合结果将直接影响蚀刻的结果。

射频(rf)功率是用来产生电浆及提供离子能量的来源，因此功率的改变将影响电浆中离子的密度及撞击能量而改变蚀刻的结果。压力也会影响离子的密度及撞击能量，另外也会改变化学聚合的能力；蚀刻反应物滞留在腔体内的时间正比于压力的大小，一般说来，延长反应物滞留的时间将会提高化学蚀刻的机率并且提高聚合速率。气体流量的大小会影响反应物滞留在腔体内的时间；增加气体流量将加速气体的分布并可提供更多未反应的蚀刻反应物，因此可降低负载效应(loadingeffect)；改变气体流量也会影响蚀刻速率。原则上温度会影响化学反速率及反应物的吸附系数(adsorptioncoefficient)，提高芯片温度将使得聚合物的沉积速率降低，导致侧壁的保护减低，但表面在蚀刻后会较为干净；增加腔体的温度可减少聚合物沉积于管壁的机率，以提升蚀刻制程的再现性。晶圆背部---气循环流动可控制蚀刻时晶圆的温度与温度的均匀性，以避免光阻烧焦或蚀刻轮廓变形。其它尚须考虑的因素还有腔体的材质，一般常见的材质包含铝、陶瓷、石英、硅及石墨等，不同的腔体材质会产生不同的反应产物并会改变蚀刻的直流偏压。

兴之扬316不锈钢网片小编给大家介绍什么是二氧化硅的湿式蚀刻：

在微电子组件制作应用中，二氧化硅的湿式蚀刻通常采用hf溶液加以进行(5)。而二氧化硅可与室温的hf溶液进行反应，但却不会蚀刻硅基材及复晶硅。反应式如下：sio2+6hf=h2+sif6+2h2o

由于hf对二氧化硅的蚀刻速率相当高，在制程上很难控制，因此在实际应用上都是使用稀释后的hf溶液，或是添加nh4f作为缓冲剂的混合液，来进行二氧化硅的蚀刻。nh4f的加入可避免---物离子的消耗，以保持稳定的蚀刻速率。而无添加缓冲剂hf蚀刻溶液常造成光阻的剥离。典型的缓冲氧化硅蚀刻液(boe:bufferoxideetcher)(体积比6:1之nh4f(40%)与hf(49%))对于高温成长氧化层的蚀刻速率约为1000?/min。

在半导体制程中，二氧化硅的形成方式可分为热氧化及化学气相沉积等方式；而所采用的二氧化硅除了纯二氧化硅外，尚有含有杂质的二氧化硅如bpsg等。然而由于这些以不同方式成长或不同成份的二氧化硅，其组成或是结构并不完全相同，因此hf溶液对于这些二氧化硅的蚀刻速率也会不同。但一般而言，高温热成长的氧化层较以化学气相沉积方式之氧化层蚀刻速率为慢，因其组成结构较为致密。